Czeka nas dramatyczny spadek cen układów pamięci
30 sierpnia 2011, 10:59Analitycy prognozują, że wkrótce będziemy świadkami olbrzymiego spadku cen układów pamięci DRAM. W drugim kwartale 2-gigabitowa kość DDR3 kosztowała u producenta 2,10 USD. Jeszcze w trzecim kwartale średnia cena tego typu układów może spaść do 1,60 USD, w czwartym kwartale spadek może sięgnąć kolejnych 22%, a cena kości osiągnie poziom 1,25 USD
Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci
23 września 2011, 10:45Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję układów DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
Nowy kontroler i tańsze SSD
7 stycznia 2016, 10:31Podczas rozpoczętych właśnie targów CES 2016 Marvell zaprezentuje kontroler dla SSD, który współpracuje z protokołem NVMe v. 1.2. Protokół ten pozwala na wykorzystanie pamięci RAM komputera w roli pamięci cache SSD
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Samsung umieścił sztuczną inteligencję wewnątrz układu pamięci
18 lutego 2021, 13:08Firma Samsung Electronics poinformowała o stworzeniu pierwszego modułu High Bandwidth Memory (HBM) zintegrowanego z modułem obliczeniowym wykorzystującym sztuczną inteligencję – HBM-PIM. Architektura processing-in-memory (PIM) umieszczona wewnątrz wysokowydajnych modułów pamięci ma służyć przede wszystkim przyspieszeniu przetwarzania danych
Premiera Windows 7
22 października 2009, 11:27Dzisiaj, 22 października, będzie miała miejsce oficjalna premiera systemu Windows 7. Na rynek trafi OS, który ma szansę zastąpić leciwego Windows XP i poprawić wizerunek Microsoftu, który mocno ucierpiał po debiucie Windows Visty.
Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Wielka pamięć
11 kwietnia 2008, 11:35Badacze z IBM-owskiego Almaden Research Centre poinformowali o opracowaniu nowego rodzaju pamięci, dzięki któremu w ciągu dekady mogą powstać np. odtwarzacze MP3 zdolne do przechowywania setek tysięcy plików.
Powstał „chit”, czyli pierwszy chemiczny bit
8 maja 2017, 09:11W klasycznej informatyce informację zapisuje się w bitach, w informatyce kwantowej – w bitach kwantowych, czyli kubitach. Eksperymenty w Instytucie Chemii Fizycznej PAN w Warszawie udowadniają, że do przechowywania informacji nadaje się nie tylko fizyka, ale również chemia. Rolę chemicznego bitu – „chitu” – może pełnić prosty układ trzech stykających się kropel, w których zachodzą reakcje oscylacyjne.
