W jedności siła
28 stycznia 2008, 12:04Samsung i Hynix zawarły porozumienie, którego celem jest opracowanie układów pamięci przyszłej generacji. Obie firmy zainwestują w sumie 9,46 milionów dolarów, a ich prace będą częścią większego programu wspieranego przez rząd Korei Południowej.
Teoretyczna pamięć fononowa
8 stycznia 2009, 12:34Lei Wang i Baowen Li, naukowcy z Singapuru badają możliwość wyprodukowania urządzeń przechowujących dane, które miałyby działać nie dzięki zmianom napięcia, a zmianom temperatury (falom cieplnym).
Super Talent 100-krotnie przyspiesza USB?
9 września 2010, 11:05W ofercie firmy Super Talent znalazły się cztery klipsy USB korzystające z łącza w wersji 3.0. Dwa z nich wyposażono w pamięć podręczną DRAM, dzięki czemu, jak zapewnia producent, wydajność przy obsłudze dużej liczby niewielkich plików wzrosła o 300%.
Czeka nas dramatyczny spadek cen układów pamięci
30 sierpnia 2011, 10:59Analitycy prognozują, że wkrótce będziemy świadkami olbrzymiego spadku cen układów pamięci DRAM. W drugim kwartale 2-gigabitowa kość DDR3 kosztowała u producenta 2,10 USD. Jeszcze w trzecim kwartale średnia cena tego typu układów może spaść do 1,60 USD, w czwartym kwartale spadek może sięgnąć kolejnych 22%, a cena kości osiągnie poziom 1,25 USD
Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci
23 września 2011, 10:45Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję układów DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
Schizofreniczny komputer
7 czerwca 2011, 12:01Naukowcy z University of Texas oraz Yale University stworzyli komputer cierpiący na schizofrenię, który pozwala badać kolejne zagadki tej choroby. Początkowo planowali oni użycie programu DISCERN do potwierdzenia teorii na temat schozofrenii, zamiast tego wpadli na nową hipotezę dotyczącą choroby.
Teleportacja i zapamiętanie
4 lutego 2008, 18:05Po raz pierwszy w historii udało się dokonać jednocześnie kwantowej teleportacji i przechować kwantowy bit w pamięci. Połączone siły naukowców z niemieckiego uniwersytetu w Heidelbergu, chińskiego Uniwersytetu Nauki i Technologii oraz Instytut Atomowego Uniwersytetów Austriackich przesłał na odległość 7 metrów qubit (kwantowy bit) i przez krótką chwilę przechowywał go w pamięci komputera.
Molekuły POM przyszłością pamięci flash?
21 listopada 2014, 13:26Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.
"Zimne" pamięci macierzowe
17 września 2009, 15:17W Korei stworzono materiał, który może pozwolić na zbudowanie niezwykle gęstych pamięci typu Millipede, zdolnych do pracy w temperaturze pokojowej. Pamięci tego typu (pamięci macierzowe) zakładają wykorzystanie próbników rozgrzanych do bardzo wysokiej temperatury, za pomocą których dokonywany jest zapis i odczyt danych.
Nowa molekuła magnetyczna pozwoli na zapis 100-krotnie większej ilości danych
27 czerwca 2025, 09:16Uczeni z University of Manchester i Australian National University (ANU) stworzyli magnes składający się z pojedynczej molekuły, który przechowuje zapisane w nim informacje w najwyższej temperaturze ze wszystkich tego rodzajów pamięci. Tego typu molekuły charakteryzuje niezwykle duża pojemność zapisu, nawet 100-krotnie większa niż limit współczesnych technologii. W przyszłości tego typu molekuły mogą zostać wykorzystane do zbudowania pamięci kwantowych czy w spintronice.
